ВИКОРИСТАННЯ ТОВСТИХ ШАРІВ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКИСЛУ КРЕМНІЮ ДЛЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ ВАРИКАПІВ

Автор(и)

DOI:

https://doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2023.3.7

Ключові слова:

варикап, технологія, пористий анодний окисел кремнію

Анотація

Варикапи або діоди зі змінною ємністю є одним з важливих елементів електронної техніки. Вони використовуються в сучасної радіоелектронної апаратурі різноманітного призначення. наприклад, в апаратурі зв'язку та апаратурі автоматичного керування для налаштування на необхідну частоту. Завдяки необхідності розробки нової апаратури, постійно підвищуються вимоги до параметрів і характеристик електронних компонентів, які використовують в цей апаратурі, у тому числі й до варикапів. Тому виготовлення варикапів з сучасними вимогами до сукупності параметрів ї характеристик є актуальною задачею. До параметрів та характеристик варикапів пред’являють різноманітні вимоги: напруга пробою, висока добротність, коефіцієнт перекриття по ємності, величина ємності, рівень зворотного струму. максимальний струм, стійкість до впливу статичної електрики. Отримання сукупності параметрів варикапів з сучасними вимогами до кожного параметру є досить складною задачею. Наприклад, при підвищенні напруги пробою добротність варикапа зменшується. Додатковими вимогами до технології виготовлення варикапів є вимоги до повторюваності параметрів та характеристик і вимоги до собівартості виготовлення. Для зменшення собівартості виготовлення потрібно зменшувати кількість технологічних операцій, в першу чергу кількість операцій фотолітографії. Використання методів само-суміщення технологічних шарів приводить як до зменшення кількості операцій фотолітографії, так й для поліпшення повторюваності параметрів та характеристик виробу. Варикапи виготовляють по різним технологіям в залежності від вимог до основних характеристик (напруга пробою або добротність, або коефіцієнт перекриття по ємності). Кожна конструкція або технологія варикапів має свої переваги та недоліки. Однак досить немає такої технології, яка б дозволяла створювати прилади з найкращою сукупністю усіх параметрів та характеристик при низької собівартості виготовлення. Метою роботи є створення технологічного процесу виготовлення варикапів, який дозволяє отримувати все параметри та характеристики виробів з сучасними вимогами до них при мінімальної собівартості виготовлення.

Посилання

Inki Jung, Keekeun Lee. Wireless neural probes based on one-port SAW delay line and neural firing-dependent varicap dsode/ Sensors and Actuators B: Chemical, February, 2015.

Ibrahim Turkoglu. Hardware implementation of varicap diode’s ANN model using PIC microcontrollers / Sensors and Actuators A:Physical, 26 August 2007.

Kasap S., Principles of electronic materials and devices, Third Edition, McGraw-Hill, 2006.

Keith Brindley. Varicap diodes (varactor diode). – Newness Electronics engineers. Pocket Book, 1993.

S.M. Sze Physics of Semiconductor Devices: 2nd Ed Published by John Wiley and Sons Ltd, 1981. ISBN 10: 047109837X.

D. F. Stout and M. Kaufman, McGraw Hill. Handbook of Microcircuit Design and Application, 499 pp.

Фролов О.М., Філіпщук О.М., Шевченко В.В., Самойлов М.О., та ін. Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю. Патент на корисну модель № 120347. МПК (2017.01): HOIL 21/100, HOIL 21/761. Публ.25.10.2017, бюл. № 20.

Фролов A.H., Самойлов Н.А., Марончук А.И. Виготовлення напівпровідникових діодів з використанням шарів пористого анодного окислу кремнія. // Матеріали та програма науково-технічної конференції. Фізика, електроніка, електротехніка. ФЕЕ::2017. Суми, Сумський державний університет, 2017. С. 201.

##submission.downloads##

Опубліковано

2023-11-13