ТЕХНОЛОГІЯ ВИГОТОВЛЕННЯ ВАРИКАПІВ З ВИКОРИСТАННЯМ МЕТОДІВ САМО-СУМІЩЕННЯ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ШАРІВ
DOI:
https://doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2024.4.21Ключові слова:
варикап, технологія, пористий анодний оксид кремніюАнотація
Вимоги до параметрів роботи сучасного електронного обладнання диктують пошук змін у підходах та методах, технології отримання електронних компонентів. Одним з розповсюджених елементів електронних схем є ємнісні діоди – варикапи. Різноманітність їх застосування обумовлена можливістю одночасного використання декількох робочих параметрів варикапів. Тому, пошук альтернативних методів та технологій виготовлення варикапів залишається актуальною задачею. В роботі запропонований новий підхід до технологічного процесу виготовлення напівпровідникової структури варикапів. Він базується на основі отримання технологічних шарів пористого анодного оксиду кремнію та використання методів самосуміщення шарової структури напівпровідника. Наслідками нововведень такого технологічного процесу є скорочення кількості операцій фотолітографії до однієї. Такий підхід не тільки скорочує час технологічного процесу, але дозволяє виключити багатократні супроводжувальні процеси підготовки поверхні пластини, їх хімічне очищення, травлення, дифузію домішок, суміщення шаблонів фотолітографії та інше. За рахунок скорочення кількості операцій знижується ризик спотворень робочих параметрів виготовлених варикапів у ході процесів отримання структур та виготовлення електронних компонентів. Все це приводить до зменшення фінансово-економічні складових отримання якісних електронних приладів з фіксованими параметрами. А також, зменшення небезпечних для довкілля хімічних операцій. Ще однією важливою задачею є наближення теоретично розрахованих параметрів варикапів з отриманими промисловими зразками. Існують різні технології, що забезпечують фіксацію одного або двох основних параметрів варикапу. Однак, єдиної загальної технології, яка б забезпечувала одночасну повторюваність декількох параметрів та характеристик, не існує. В даній роботі відображені результати застосування такої технології виготовлення варикапів і надана порівняльна характеристика основних параметрів приладів з тими, що отримані із застосуванням інших технологій.
Посилання
Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка: в 3 ч. Елементи мікросхемотехніки: навч. посіб. / за ред. М.М. Прищепи. Київ: Вища школа, 2006. Ч. 2. 503 с.
Кузьмичєв А.І., Писаренко Л.Д., Цибульський Л.Ю. Технологічні основи електроніки. кн.1: Технологія виробництва мікросхем. Київ: КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2019. 127 с.
Литвиненко В.М. Фізика та технологія напівпровідникових діодів: монографія. Херсон : ФОП Вишемирський B.C., 2018. 184 с.
Sze S.M. Semiconductor Devices, physics and technology: 2nd еd. Published by John Wiley and Sons Ltd, 2002. 574 р.
Milnes A. G. Deep іmpurities іn semiconductors. John Wiley & Sons. New York, 1973. 526 p.
Михаліченко П.Є., Фролов О.М., Надточий А.В. та ін. Оперативний розрахунок елементів мікросхем та напівпровідникових приладів: монографія. / за ред. П.Є. Михаліченко. Миколаїв: Іліон, 2024. 188 с.
Литвиненко В.М. Оптимізація технології виготовлення епітаксіально-планарного варикапа. Вісник ХНТУ. Херсон, 2023. № 4 (87). С. 85-90. https://doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2023.4.10
Сєліверстова С.Р., Фролов О.М. Використання товстих шарів пористого анодного окислу кремнію для технології виготовлення варикапів. Вісник ХНТУ. Херсон, 2023. № 3 (86). С. 53-59. https://doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2023.3.7
Ткачук М.А, Сєліверстова С.Р. Технологічні особливості виготовлення варикапів. Сучасні проблеми морського транспорту та безпека мореплавства. зб. матеріалів ХІІІ всеукр. студ. наук. конф., м. Херсон, 23 листоп. 2023 р. Херсон, 2023. С. 128-129.
Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем: патент на корисну модель № 60700 Україна: МПК: HOIL21/04; HOIL 21/31; HOIL 21/329. опубл. 25.06.2011, Бюл. № 12. 3 с.
